セラミック誘電体フィルターの PVD 直接メッキ銀は、5G 基地局やその他の電子産業用半導体に適用される高度なコーティング技術です。典型的なアプリケーションの 1 つは、セラミック放射基板です。PVD 真空スパッタリング技術による酸化アルミニウム (Al2O3)、AlN 基板上への銀 / 銅導電膜の堆積には、従来の製造方法と比較して、生産コストがはるかに低い DBC LTCC HTCC という 1 つの大きな利点があります。Royal Technology のチームは、お客様と協力して、従来の液体銀ブラッシング プロセスを置き換えることができるスパッタリング技術をうまく適用する PVD 銀メッキ プロセスを開発しました。
代表的なアプリケーション
ほんの数例を挙げると、それ以上のアプリケーションについては、Royal Tech にお問い合わせください。
RTAS1215 バッチ スパッタリング システムはアップグレードされたバージョンで、最新のシステムにはいくつかの利点があります。
より効率的なプロセス
1.反転治具設計により両面塗装が可能
2. 複数のソース用に最大 8 つの標準平面カソード フランジ
3. 1 サイクルあたり最大 2.2 ㎡のセラミックチップを処理できる大容量
4.完全自動化、PLC +タッチスクリーン、ワンタッチ制御システム
生産コストの削減
1. 2セットの磁気懸濁液分子ポンプを装備し、起動時間が速く、メンテナンスが無料
2. 最大暖房能力
3. 最大 8 つのアーク ソースと 4 つのスパッタリング カソードを使用して最適なスペースを確保するためのチャンバーの八角形形状により、コーティングの高速堆積が可能
技術仕様
モデル: RTSP-Ag1215
チャンバーの高さ (mm): 1500
チャンバー径（mm）：φ1200
スパッタリング陰極取り付けフランジ: 4
イオン源取り付けフランジ: 1
アーク陰極取り付けフランジ: 8
サテライト(mm):16×Φ150
パルスバイアス電力 (KW): 36
スパッタリング力 (KW): DC36 + MF36
アーク力 (KW): 8 x 5
イオン源電力 (KW): 5
加熱力 (KW): 36
有効塗工高さ(mm):1020
磁気浮遊分子ポンプ: 2 x 3300 L/S
ルーツポンプ: 1 x 1000m³/h
ロータリーベーンポンプ: 1 x 300m³/h
保持ポンプ: 1 x 60m³/h
収容人数：2.2㎡
設置面積 (L x W x H) mm: 4200*6000*3500
インサイト
造られた時間: 2016 年以来
数量: 3 セット
場所: 中国
市場の巨大な需要と比較して、バッチ システムの生産性は低いです。ロボットによる自動搬入出装置を備えたインラインスパッタリング装置（スパッタリング成膜ラインを継続）の開発に注力してきました。このシステムに興味のある方は、詳細な仕様について当社の技術者にお問い合わせください。
